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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 167 - 172 (6page)
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In this study, the DC and thermal characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are investigated using various substrates such as SiC-4H, sapphire, and diamond, respectively. A comparative study for DC characteristics is performed for 3 different substrate materials, including I-V transfer and breakdown voltage. Because thermal conductivity of substrate material can greatly affect the operating characteristics of the device, we also analyze heat distribution within the device by Silvaco TCAD simulation. The simulated results will be helpful for better temperature management of AlGaN/GaN HEMT devices.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
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