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김성일 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 이상흥 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 이종민 (한국전자통신연구원) 민병규 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 윤형섭 (한국전자통신연구원) 장유진 (한국전자통신연구원) 신민정 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
251 - 254 (4page)

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This paper describes modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors(HEMTs) for X-band applications. The AlGaN/GaN HEMTs with a gate length of 0.25 ㎛ and a total gate width of 800 um were fabricated by ETRI. The model of GaN HEMT devices is Angelov-GaN model for high power applications.
Procedure of modeling is as follows. 1. DC measurements, 2. NWA(Network Analyzer) calibration, 3. NWA De-embedding, 4. S-parameter measurement, 5. DC extraction, 6. S-parameter extraction, 7 Global optimization, 8. HB simulation to verify Spectrum.
Comparing with model simulation and measurement data, the model parameters were obtained. We will design X-band PA MMIC using Angelov-GaN model.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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