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학술대회자료
저자정보
장우진 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 이상훈 (웨이브피아)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
315 - 319 (5page)

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This paper presents the temperature distribution analysis of gate channels of GaN large-sized HEMT for different DC bias conditions by using an infrared microthermal measurement system. It is analyzed that the temperature difference between locations of the gate channels at high power is significant, and the results of the measurement and analysis need to be considered in designing or modeling high-power active devices.

목차

Abstract
I. 서론
II. GaN HEMT DC 및 RF 특성
Ⅲ. GaN HEMT 게이트 위치별 발생온도
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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