메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
주동명 (성균관대) 김동식 (대진대) 이병국 (성균관대) 김종수 (대진대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제20권 제6호
발행연도
2015.12
수록면
558 - 565 (8page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

Cascode GaN HEMT를 적용한 위상 천이 dc-dc 컨버터의 구현 및 문제점 분석
주동명 ,  김동식 ,  이병국 외 1명 전력전자학회논문지 2015.12 학술저널

2014

GaN FET을 적용한 위상 천이 DC-DC 컨버터의 문제점 분석
주동명 ,  김동식 ,  이병국 외 1명 전력전자학회 학술대회 논문집 2014.11 학술대회자료

초록· 키워드

오류제보하기
Gallium nitride high-electron mobility transistor (GaN HEMT) is the strongest candidate for replacing Si MOSFET. Comparing the figure of merit (FOM) of GaN with the state-of-the-art super junction Si MOSFET, the FOM is much better because of the wide band gap characteristics and the heterojunction structure. Although GaN HEMT has many benefits for the power conversion system, the performance of the power conversion system with the GaN HEMT is sensitive because of its low threshold voltage (Vth) and even lower parasitic capacitance. This study examines the characteristics of a phase-shifted full-bridge dc–dc converter with cascode GaN HEMT. The problem of unoptimized dead time is analyzed on the basis of the output capacitance of GaN HEMT. In addition, the printed circuit board (PCB) layout consideration is analyzed to reduce the negative effects of parasitic inductance. A comparison of the experimental results is provided to validate the dead time and PCB layout analysis for a phase-shifted full-bridge dc–dc converter with cascode GaN HEMT.
#GaN HEMT #Cascode GaN #Phase shifted dc-dc full bridge converter

목차

Abstract
1. 서론
2. GaN Power System
3. GaN Based System Design Consideration
4. 결론
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
[학술대회논문] - S. Y. Park / 2010 / Performance evaluation of high voltage super junction MOSFETs for zero-voltage soft-switching inverter applications / IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC2010) : 387 ~ 391 google schola [학술지(정기간행물)] - J. Millan / 2014 / Survey of wide bandgap power semiconductor devices / IEEE Trans. Power Electron 29 (5) : 2155 ~ 2163 google schola [학술지(정기간행물)] - S. Ji / 2013 / High-frequency high power density 3-D integrated gallium-nitride-based point of load module design / IEEE Trans. Power Electron 28 (9) : 4216 ~ 4226 google schola [학술지(정기간행물)] - D. Reusch / 2014 / Understanding the effect of PCB layout on circuit performance in a high-frequency gallium-nitride-based point of load converter / IEEE Trans. Power Electron 29 (4) : 2008 ~ 2015 google schola [학술지(정기간행물)] - X. Huang / 2014 / Analytical loss model of high voltage gaN HEMT in cascode configuration / IEEE Trans. Power Electron 29 (5) : 2208 ~ 2219 google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

Wide Bandgap 소자의 안정적 구동을 위한 하드웨어 최적 설계 및 구현
김동식 ,  주동명 ,  이병국 외 1명 전기학회논문지 2016 .01
페라이트 배치에 따른 자기유도 무선전력전송 시스템의 방사노이즈 비교
윤주호 ,  강두진 ,  강민혁 외 2명 전력전자학회 학술대회 논문집 2015 .11
GaN HEMT를 이용한 동기 벅 컨버터의 스위치 동작 파형분석
채훈규 ,  김동희 ,  김민중 외 2명 전력전자학회 학술대회 논문집 2015 .11
무선전력전송 시스템의 SP 토폴로지 공진네트워크 설계
강민혁 ,  주동명 ,  우동균 외 1명 전력전자학회 학술대회 논문집 2015 .11
EV 배터리 충전기용 무선전력전송 시스템의 주파수 추종 알고리즘
변종은 ,  김민국 ,  주동명 외 1명 전력전자학회 학술대회 논문집 2015 .11

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-560-002172341