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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 325 - 328 (4page)
이용수
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2016
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This paper describes the successful development and the performance of a 50 W GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistor(HEMT) The GaN HEMT with a gate length of 0.25μm and a total gate width of 12 mm were fabricated. The GaN HEMT provide a linear gain of 8 dB with 52 W output power operated at 30 V drain voltage in pulse operation with a pulse width 100 us and 10 % duty cycle at X-band. It also shows a maximum output power density of 4.16 W/mm. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 52 W(47.2 dBm) with a power gain of 11.5 dB in a frequency range of 9.2 – 9.5 GHz. This 50 W GaN HEMT and X-band 50 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 0.25μm AlGaN/ GaN HEMT 소자 제작 공정 및 특성
Ⅲ. 50W GaN HEMT 소자 패키지 및 증폭기 모듈 제작
Ⅳ. 결론
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