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본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2～9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaN HEMT 소자 제작 공정 및 특성
Ⅲ. 50 W 전력증폭기 설계 및 제작
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (4)
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P. G. Courtney et al., "High efficiency 80 W X-band power amplifier using coaxial waveguide spatial power combining technique", Microwave Symposium Digest (MTT), IEEE MTT-S International, 2000.
M. Casto et al., "100 W X-band GaN SSPA for medium power TWTA replacement", Wireless and Microwave Technology Conference IEEE 12th Annual, 2011.
H. Sumi et al., "Ku-band, 120-W power amplifier using gallium nitride FETs", Microwave Symposium Digest, IEEE MTT-S International, 2009.
K. Kanto et al., "An X-band 250 W solid-state power amplifier using GaN power HEMTs", IEEE Radio and Wireless Symposium, 2008.
M. Casto et al., "100 W X-band GaN SSPA for medium power TWTA replacement", Wireless and Microwave Technology Conference IEEE 12th Annual, 2011.
H. Sumi et al., "Ku-band, 120-W power amplifier using gallium nitride FETs", Microwave Symposium Digest, IEEE MTT-S International, 2009.
K. Kanto et al., "An X-band 250 W solid-state power amplifier using GaN power HEMTs", IEEE Radio and Wireless Symposium, 2008.
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