메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강현석 (충남대학교) 이익준 (Keysight Technologies) 배경태 (충남대학교) 김세일 (충남대학교) 김동욱 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第29卷 第4號(通卷 第251號)
발행연도
2018.4
수록면
290 - 298 (9page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2018

S-대역 300 W급 GaN HEMT 고조파 튜닝 내부 정합 전력증폭기
강현석 ,  이익준 ,  배경태 외 2명 한국전자파학회논문지 2018.04 학술저널
GaN HEMT를 이용한 S-대역 및 X-대역 내부정합 전력증폭기 설계
강현석 전자전파정보통신공학과 2018.01 학위논문

2016

X-대역 50 W급 펄스 모드 GaN HEMT 내부 정합 전력 증폭기
강현석 ,  배경태 ,  이익준 외 4명 한국전자파학회논문지 2016.10 학술저널

초록· 키워드

오류제보하기
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62～2.69 ㎓에서 257～323 W의 최대 출력 전력과 64～71 %의 드레인 효율, 11.5～14.0 ㏈의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42～49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 ㎓를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 ㏈c 이하의 성능을 보였다.
#GaN HEMT #Power Amplifier #Internally Matched #S-Band #Harmonic Tuning

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaN HEMT 소자 및 특성
Ⅲ. 고조파를 포함한 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션
Ⅳ. 전력증폭기 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - 이상홍 / 2014 / 차세대 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술 동향 / 전자통신동향분석 29 (6) : 1 ~ 13 google schola [학술지(정기간행물)] - 김동욱 / 2013 / 전자전 증폭장치 / 전자파기술 24 (6) : 25 ~ 36 dbpia [학술대회논문] - E. Higham / 2014 / GaN technology in base stations-why and when? / 2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium(CSICS) : 1 ~ 4 google schola [학술지(정기간행물)] - D. W. Runton / 2013 / History of GaN: High-power RF gallium nitride(GaN) from infancy to manufacturable process and beyond / IEEE Microwave Magazine 14 (3) : 82 ~ 93 Crossref [인터넷자원] - Wolfspeed / 2017 / GaN HEMT CGHV40320D google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

9 dB의 확장된 Back-Off에서 높은 효율을 갖는 Outphasing 로드 네트워크 기반의 3.3 GHz Doherty 전력증폭기
정호석 ,  오한식 ,  진일비 외 5명 한국전자파학회논문지 2021 .11
보조 증폭기에 병렬 공진회로를 포함하는 0.6～1.0 GHz 광대역 비대칭 Doherty 전력 증폭기
배순철 ,  나종윤 ,  정호석 외 4명 한국전자파학회논문지 2020 .04
2.5～6 GHz 20 W급 광대역 GaN HEMT 내부 정합 전력증폭기
이민표 ,  김세일 ,  홍성준 외 2명 한국전자파학회논문지 2019 .11
GaN HEMT를 이용한 L-S 대역 120 W 고출력 전력 증폭기 설계
김태완 ,  김정현 대한전자공학회 학술대회 2018 .06
GaN HEMT Die를 이용한 S-대역 내부 정합형 고효율 고출력 증폭기
김상훈 ,  최진주 ,  최길웅 외 1명 한국전자파학회논문지 2015 .06

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-427-002101540