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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.12
- 수록면
- 1,059 - 1,068 (10page)
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본 논문에서는 140 W급 전력 증폭 소자에 대한 병렬 확장형 GaN HEMT 대신호 모델을 제시하였다. 80-핑거 GaN HEMT 소자에 대한 모델은 8개의 단위 소자 모델이 병렬 확장형으로 연결된 구조이며, 단위 소자의 대신호 모델은 AMCAD FET 모델을 기반으로 제작되었다. 단위 소자는 10-핑거 GaN HEMT 소자와 게이트, 드레인 패드로 구성되어 있다. AMCAD사의 IVCAD 프로그램과 Keysight사의 PNA-X 네트워크 분석기를 이용하여 단위 소자의 GaN HEMT 대신호 모델 파라미터를 추출하였다. 단위 소자의 대신호 모델은 10-핑거 소자를 온-웨이퍼 로드-풀 측정을 수행하여 검증하였으며, 대면적 소자의 대신호 모델은 80-핑거 소자를 패키징한 다음 로드-풀 측정을 수행하여 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 단위 소자 대신호 모델
Ⅲ. 병렬 확장형 대면적 소자 모델
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (24)
참고문헌 신청
D. W. Runton / 2013 / History of GaN : High-power RF gallium nitride(GaN)from infancy to manufacturable process and beyond / IEEE Microwave Magazine 14(3):82~93
강현석 / 2016 / X-대역 50 W급 펄스 모드 GaN HEMT 내부 정합 전력 증폭기 / 한국전자파학회 논문지 27(10):892~899
권호상 / 2020 / S-대역 300 W급 GaN HEMT 내부 정합 전력증폭기 / 한국전자파학회 논문지 31(1):43~50
J. P. Mondal / 1989 / Distributed scaling approach of MESFETs and its comparison with the lumped-element approach / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 37(7):1085~1090
D. Resca / 2008 / Scalable nonlinear FET model based on a distributed parasitic network description / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56(4):755~766
강현석 / 2016 / X-대역 50 W급 펄스 모드 GaN HEMT 내부 정합 전력 증폭기 / 한국전자파학회 논문지 27(10):892~899
권호상 / 2020 / S-대역 300 W급 GaN HEMT 내부 정합 전력증폭기 / 한국전자파학회 논문지 31(1):43~50
J. P. Mondal / 1989 / Distributed scaling approach of MESFETs and its comparison with the lumped-element approach / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 37(7):1085~1090
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