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민병규 (한국전자통신연구원) 윤형섭 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 조규준 (한국전자통신연구원) 이종민 (한국전자통신연구원) 김성일 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 이상흥 (한국전자통신연구원) 주철원 (한국전자통신연구원) 김동영 (한국전자통신연구원) 장유진 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
192 - 195 (4page)

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In the fabrication of AlGaN/GaN HEMT on SiC, it is critical to establish a stable process condition of a gate recess. In this study, we etched the AlGaN layer by a low-energy ICP with variations of etch times. In addition, HC1 treatment followed the etch step. The 2-times process of SiN deposition and etch was tried to reduce the gate length by mis-aligned lithography. A proportional relationship between Vth(or Gm) and recess etch depth was identified. There also was a surface-improving effect to reduce the leakage current by HC1 treatment.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌

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