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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.5
- 발행연도
- 2020.10
- 수록면
- 469 - 473 (5page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.5.469
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We demonstrate the role of thin Al₂O₃ surface protection layer in improving the device performance of AlGaN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) The use of the Al₂O₃ surface protection layer also simplifies device process steps in comparison with conventional SiO₂ or Si₃N₄ protection layer. The Al₂O₃ layer is very effective not only in protecting the AlGaN surface during ohmic RTP at high temperature, but also in passivating the AlGaN surface to greatly reduce electron trapping into surface states which leads to improved current collapse. And fabrication of the device with gate length of 0.15 ㎛ exhibited high transconductance of 365 mS/㎜ and drain current of ~943 ㎃/㎜ at VGS = 1 V. The device also exhibited very high RF performances such as f<SUB>T</SUB> and f<SUB>max</SUB> of 68.4 and 129 ㎓, with the maximum output power (P<SUB>out</SUB>) of 2.2 W/㎜ and power added efficiency (P.A.E.) of 27.3%, respectively.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENT
III. RESULTS AND DISCUSSIONS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
M. A. Kahn, Q.Chen, M. S. Shur, B. T. Mcdermott, and J. A. Higgins “Microwave operation of GaN/AlGaN-doped channel hetrostructure field effect transistors,” IEEE Electron. Device Lett., vol. 17, pp. 325-327, July 1996.
Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, “Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs,” IEEE Trans. Electron. Device vol. 48, pp. 586-590, 2001.
Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, “Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors”, Appl. Phys. Lett. Vol. 69, pp. 1438 (1996).
S. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, “Trapping effects and microwave power performance in AlGaN/GaN HEMTs,” IEEE Trans. Electron. Device vol. 48, pp. 465-471, 2001.
R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, “The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs,” IEEE Trans. Electron. Device vol. 48, pp. 560-566, 2001..
Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, “Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs,” IEEE Trans. Electron. Device vol. 48, pp. 586-590, 2001.
Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, “Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors”, Appl. Phys. Lett. Vol. 69, pp. 1438 (1996).
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R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, “The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs,” IEEE Trans. Electron. Device vol. 48, pp. 560-566, 2001..
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