지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 195 - 198 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2018
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
High electron mobility transistors (HEMTs) and Schottky barrier diodes (SBDs) based on AlGaN/GaN heterostructures are well studied for application for high-frequency and/or high-power area. Widely distributed substrates for the high performance of RF applications are presently AlGaN/GaN on SiC and AlGaN/GaN on Si for high power performance. Because the thermal conductivity of CVD diamond substrate is high as 12 W/cm∙K, devices of AlGaN/GaN on CVD diamond are one of the excellent alternatives for power and RF applications, where the thermal conductivity of AlGaN/GaN on SiC is 4.9 W/cm∙K, and that of AlGaN/GaN on Si 1.3 W/cm∙K.
In this work, we report the fabrication of SBD devices with 163.8 mm Schottky length. And also we investigated the thermal properties of the fabricated large scale SBD devices.
In this work, we report the fabrication of SBD devices with 163.8 mm Schottky length. And also we investigated the thermal properties of the fabricated large scale SBD devices.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결과 및 분석
IV. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
몰리브데넘 기반의 오믹 저항을 이용한 AlGaN/GaN 쇼키 다이오드 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
AlGaN Barrier 및 GaN Buffer 두께 변화에 따른 AlGaN/GaN HEMT 소자의 트랜스컨덕턴스 및 항복전압 동작 특성 향상에 관한 시뮬레이션 연구
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
-
AlGaN/GaN HEMT 소자의 SiC/Sapphire/Diamond 기판별 동작 특성 시뮬레이션 및 분석
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
AlGaN/GaN HEMT의 수치해석 시뮬레이션 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .07
-
GaN 스트라이프 꼭대기 위의 AlGaN 어레이 미세구조의 선택적 결정 성장
한국결정성장학회지
2015 .01
-
p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발
한국정보통신학회논문지
2020 .02
-
P-GaN/AlGaN/GaN 이종접합 파워 FET 기술
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
AlGaN/GaN high electron mobility transistor 기반 고감도 수소센서
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
-
P-GaN Gated AlGaN/GaN E-mode HFET Fabricated with Selective GaN Etching Process
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .12
-
Au-free 공정을 사용한 문턱전압 3.5 V의 P-GaN 게이트 기반 증강형 AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
-
Thin barrier AlGaN/GaN HEMT의 2DEG 개선을 위한 표면 패시베이션 박막 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
-
GaN 마이크로 LED 구동을 위한 모놀리식 스위치 집적화 공정
조명·전기설비학회논문지
2024 .08
-
In-situ SiN 패시베이션 층에 따른 AlGaN/GaN HEMTs의 전기적 및 저주파 잡음 특성
접착 및 계면
2023 .06
-
고전압 AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor의 Source Field Plate 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
-
Diode Embedded AlGaN/GaN Heterojuction Field-Effect Transistor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .04
-
AlGaN/GaN-on-Si 이종접합 기반의 고감도 수소센서
KEPCO Journal on electric power and energy
2019 .01
-
AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)의 중이온 방사선 효과에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
AlGaN/GaN 전력 반도체의 문턱전압 및 안정성 향상을 위한 gate oxide 연구
전력전자학회 학술대회 논문집
2023 .07
-
AlGaN barrier engineering of AlGaN/GaN HEMT-based NO₂ gas sensor with Pd catalyst: Simulation and experiment
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0