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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 2,278 - 2,279 (2page)
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We have developed a p-GaN/AlGaN/GaN heterojunction power FET technology that employed a selective p-GaN etching process and a current boosting passivation process. A PEALD AlN film was^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10591732');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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