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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.2
- 수록면
- 321 - 324 (4page)
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In this work, we developed a selective etching process for GaN that is a key process in p-GaN/AlGaN/GaN enhancement-mode (E-mode) power switching field-effect transistor (FET) fabrication. In order to achieve a high current density of p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET, the p-GaN layer beside the gate region must be selectively etched whereas the underneath AlGaN layer should be maintained. A selective etching process was implemented by oxidizing the surface of the AlGaN layer and the GaN layer by adding O₂ gas to Cl₂/N₂ gas which is generally used for GaN etching. A selective etching process was optimized using Cl₂/N₂/O₂ gas mixture and a high selectivity of 53:1 (= GaN/AlGaN) was achieved.
목차
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
K. J. Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C. L. Tsai, T. Ueda, Y. Uemoto, and Y. Wu, “GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications,” IEEE Transactions on electron devices, vol. 64, no.3, pp. 779-795, Mar. 2017.
J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. P. Tomas, and J. Rebollo, “A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no.5, pp. 2155-2162, May. 2014.
E. A. Douglas, C. A. Sanchez, R. J. Kaplar, A. A. Allerman, and A. G. Baca, “Inductively coupled BCl3/Cl2/Ar plasma etching of Al-rich AlGaN,” Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 35, p. 021305, Dec. 2017.
Y. Zhong, Y. Zhou, H. GaO, S. Dai, J. He, M. Feng, Q. Sun, J. Zhang, Y. Zhao, A. DingSun, and H. Yang, “Selfterminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl2/N2/O2 plasma with a low-energy ion bombardment,” Applied surface science, vol. 420, pp. 817-824, May. 2017.
Y. J. Han, S. Xue, W. P. Guo, C. Z. Sun, Z. B. Hao, and Y. Luo, “Highly Selective Dry Etching of GaN over AlGaN Using Inductively Coupled Cl2/N2/O2 Plasmas,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 42, pp. 1139-1141, Oct. 2003.
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