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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조성인 (Hongik University) 김형탁 (Hongik University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제24권 제4호
발행연도
2020.12
수록면
247 - 251 (5page)

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본 연구에서는 상시불통형 p-GaN 전력반도체소자의 신뢰성 향상을 위해 p-GaN 게이트막 내부의 전계를 완화하고자 p-GaN 게이트 도핑농도의 계조화를 제안한다. TCAD 시뮬레이션으로 균일한 도핑농도를 갖는 소자와 문턱전압과 출력 전류 특성이 동일하도록 p형 농도를 계조화하고 최적화하였다. p-GaN 게이트층에서의 전계 감소로 소자의 게이트 신뢰성이 개선될 수 있을 것으로 판단된다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. p-GaN 게이트 전력반도체소자의시뮬레이션
Ⅲ. 결론
References

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