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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.6
- 수록면
- 120 - 124 (5page)
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In this study, we investigated the DC characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) by modulating the thicknesses of AlGaN barrier and GaN buffer. As the AlGaN barrier thickness was decreased, transconductance (gm) was increased due to the drop of distance between gate and channel. In addition, increase of GaN buffer thickness resulted in improvement of breakdown voltage owing to the reduction of substrate leakage current. Consequently, simulation results will help to design AlGaN/GaN HEMTs that show higher gm and breakdown characteristics.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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