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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최여진 (금오공과대학교) 백승문 (금오공과대학교) 이유나 (금오공과대학교) 안성진 (금오공과대학교)
저널정보
한국접착및계면학회 접착 및 계면 접착 및 계면 제24권 제2호
발행연도
2023.6
수록면
60 - 63 (4page)

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2023

In-situ SiN 패시베이션 층에 따른 AlGaN/GaN HEMTs의 전기적 및 저주파 잡음 특성
최여진 ,  백승문 ,  이유나 외 1명 접착 및 계면 2023.06 학술저널

2020

Al 조성비와 passivation 층에 따른 AlGaN/GaN HEMTs의 저주파 잡음 거동 및 전기적 특성
최여진 신소재공학과 2020.01 학위논문

초록· 키워드

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AlGaN/GaN 이종접합 구조는 이차원 전자 가스층(2-DEG)으로 인해 높은 전자이동도를 갖고 있으며, 넓은 밴드갭을 갖기 때문에 고온에서 높은 항복전압을 갖는 특성을 가지고 있어, 고전력, 고주파 전자 소자로주목받고 있다. 이러한 이점을 갖고 있음에도 불구하고, 전류 붕괴 등의 다양한 소자 신뢰성에 영향을 주는인자들이 있기 때문에 이를 해결하고자, 본 논문에서는 금속-유기-화학기상증착법을 이용하여 AlGaN/GaN 이종접합구조와 SiN 패시베이션 층을 연속 증착시켰다. 이를 통해 HEMTs소자에 SiN패시베이션이 미치는 재료특성 및 전기적 특성을 분석했으며, 결과를 바탕으로 저주파 잡음 특성을 측정해 소자의 전도 메커니즘 모델과채널 내의 결함의 원인에 대해서 분석하였다.
#AlGaN/GaN #High electron mobility transistors (HEMTs) #Low-frequency noise #In-situ Silicon Nitride (SiN)

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