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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 344 - 349 (6page)
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AlGaN/GaN HEMT를 제작하여 상온에서 –178 ℃의 저온에 이르기까지 트랜지스터의 전기적인 특성 변화를 연구하였다. 상온에서 264 mA/mm를 나타내던 게이트 길이 2 μm인 HEMT의 드레인 전류는 온도의 감소에 따라 변화하여 –108 ℃의 온도에서 388 mA/mm로 47%의 증가를 나타냈으며 최대 트랜스컨덕턴스는 121 mS/mm로부터 183 mS/mm로 증가하였다. 또한 –178 ℃의 온도에 이르기까지 –0.39 V의 문턱전압 변화를 보였다. 이러한 변화는 주로 상온에서부터 –108 ℃의 온도에서 나타나고 있으며 온도감소에 따른 720 Ω/sq. 로부터 300 Ω/sq.로 감소하는 면저항의 변화와 함께하고 있다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - O. Ambacher / 1999 / Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures / J . Appl. Phys. 85 (6) : 3223 ~ 3232
[학술지(정기간행물)] - C. W. Tsou / 2016 / 2.07-kV AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on silicon with high Baliga's figure-of-merit / IEEE Electron Device Lett. 37 (1) : 70 ~ 73
[학술지(정기간행물)] - H. Okumura / 2006 / Present Status and Future Prospect of Widegap Semiconductor High-Power Devices / Jpn. J . Appl. Phys. 45 (10A) : 7565 ~ 7586
[학술지(정기간행물)] - A. Aminbeidokhti / 2016 / Gate-Voltage Independence of Electron Mobility in Power AlGaN/GaN HEMTs / IEEE Trans. Electron Devices 63 (3) : 1013 ~ 1019
[학술지(정기간행물)] - T.-S. Ko / 2017 / High-temperature carrier density and mobility enhancements in AlGaN/GaN HEMT using AlN spacer layer / J . Cryst. Growth 464 : 175 ~ 179
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