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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.1
- 발행연도
- 2025.2
- 수록면
- 21 - 29 (9page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2025.25.1.21
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In this study, we conducted an irradiation experiment using protons with 5 MeV energy and a fluence of 5×10<sup>13</sup> cm<sup>-2</sup> to analyze the effects on AlGaN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs). After proton irradiation, the on-resistance (Ron) value increased by 57%, the on-state current (Ion) decreased by 26.78%, and the off-state current (Ioff) increased by 89.63%. Despite these changes in Ion and Ioff, there was no significant change in the threshold voltage (Vt). This indicates that the two-dimensional electronic gas (2DEG) density, which determines Vt did not sustain significant damage. The degradation in device characteristics was attributed to other factors, which were analyzed through a resistance-based equation. Additionally, we performed simulation fitting to complete a quantitative cause analysis. We believe that our findings will contribute to preliminary verification research for high-reliability experiments, such as space and aviation semiconductors.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL PROCEDURE
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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