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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.2
- 발행연도
- 2025.4
- 수록면
- 160 - 165 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2025.25.2.160
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In this work, we evaluated the thermal resistance of AlGaN/GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with different GaN buffer thicknesses. The thermal resistance was derived by correlating the decrease in I<sub>D.SAT</sub> values under both self-heating and external-heating conditions with pulsed I-V measurements. The experiments were carried out with a short duty cycle (0.1%) to minimize heating during the measurement state. I<sub>D.SAT</sub> decreases as the channel temperature increases by dissipated power or elevated external temperature, respectively. By matching the I<sub>D.SAT</sub> values from these two conditions, we determined the channel thermal resistance. The thin buffer GaN device demonstrated a lower thermal resistance, indicating that a thinner buffer layer aids in more efficient heat dissipation to the substrate.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE
III. CHANNEL THERMAL RESISTANCE EXTRACTION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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