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정현욱 (한국전자통신연구원) 최일규 (한국전자통신연구원) 장성재 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
277 - 279 (3page)

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InAlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) with 70 nm gate length shows a maximum output current density of 1.48 A/mm, a transconductance of 492 mS/mm, and cutoff frequency/maximum oscillation frequency f<sub>T</sub>/f<sub>m^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10591066');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#

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