지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.2
- 발행연도
- 2020.4
- 수록면
- 170 - 176 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.2.170
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
We investigated the performance of NO₂ gas sensors based on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) with 10 nm AlGaN barrier. The sensors were designed to operate in μA range to reduce power consumption and realize good sensing performance. The gate area of the HEMT sensor was functionalized using a Pd and Pt catalyst layer for NO₂ detection to compare the performance between Pd and Pt catalysts. Pd-functionalized sensors demonstrated better sensing characteristics compared with Pt-functionalized sensors. When the sensors were exposed to 100 ppm of NO₂ at 300℃, the relative sensitivity of 53 % was measured with the response time and recovery time of 136 s and 196 s, respectively. Also, the sensor shows a significant change of drain current for 30 s exposure time in different concentrations from 10 to 100 ppm NO₂. These results suggest that Pd-AlGaN/GaN HEMT sensors with a thin barrier can be the great choice to detect NO₂ gas and they could be used in the harsh environment in real-time condition.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULT AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
G. Korotcenkov, “Metal oxides for solid-state gas sensors: What determines our choice?,” Materials Science and Engineering: B, vol. 139, no. 1, pp 1- 23, Apr., 2007.
P. Offermans and R. Vitushinsky: “NO2 Detection With AlGaN/GaN 2DEG Channels for Air Quality Monitoring”, IEEE Sensors Journal, vol. 13, no. 8, pp. 2823-2827, Oct., 2012.
M. Miyoshia, S. Fujita, and T. Egawa, “Demonstration of NOx gas sensing for Pd/ZnO/ GaN heterojunction diodes,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 33, no. 1, 013001, Jan., 2015;
S. Jung, K. H. Baik, F. Ren, S. J. Pearton, and S. Jang, “Detection of ammonia at low concentrations (0.1-2 ppm) with ZnO nanorod functionalized AlGaN/GaN high electron mobility transistors,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 35, 042201, Jun.,2017;
T.-Y. Chen, et al., “Ammonia sensing properties of a Pt/AlGaN/GaN Schottky diode,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 58, no. 5, pp. 1541-1547, May 2011;
P. Offermans and R. Vitushinsky: “NO2 Detection With AlGaN/GaN 2DEG Channels for Air Quality Monitoring”, IEEE Sensors Journal, vol. 13, no. 8, pp. 2823-2827, Oct., 2012.
M. Miyoshia, S. Fujita, and T. Egawa, “Demonstration of NOx gas sensing for Pd/ZnO/ GaN heterojunction diodes,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 33, no. 1, 013001, Jan., 2015;
S. Jung, K. H. Baik, F. Ren, S. J. Pearton, and S. Jang, “Detection of ammonia at low concentrations (0.1-2 ppm) with ZnO nanorod functionalized AlGaN/GaN high electron mobility transistors,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 35, 042201, Jun.,2017;
T.-Y. Chen, et al., “Ammonia sensing properties of a Pt/AlGaN/GaN Schottky diode,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 58, no. 5, pp. 1541-1547, May 2011;
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
AlGaN barrier engineering of AlGaN/GaN HEMT-based NO₂ gas sensor with Pd catalyst: Simulation and experiment
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
AlGaN/GaN high electron mobility transistor 기반 고감도 수소센서
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
-
AlGaN Barrier 및 GaN Buffer 두께 변화에 따른 AlGaN/GaN HEMT 소자의 트랜스컨덕턴스 및 항복전압 동작 특성 향상에 관한 시뮬레이션 연구
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
-
AlGaN/GaN HEMT의 수치해석 시뮬레이션 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .07
-
AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)의 중이온 방사선 효과에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
AlGaN 장벽층을 갖는 에피구조를 이용한 고반응도 수소 센서
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터에 기반한 ZnO-NPs/Pd 이중 층 기능화 수소 가스 센서
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
고전압 AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor의 Source Field Plate 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
-
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Thin barrier AlGaN/GaN HEMT의 2DEG 개선을 위한 표면 패시베이션 박막 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
-
Pt-AlGaN/GaN HEMT-based hydrogen gas sensors with and without SiNx post-passivation
전기전자학회논문지
2019 .09
-
TMAH 기반 전처리를 이용한 AlGaN/GaN HEMT의 양성자 조사에 대한 전기적 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
AlGaN/GaN HEMT 소자의 SiC/Sapphire/Diamond 기판별 동작 특성 시뮬레이션 및 분석
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
In-situ SiN 패시베이션 층에 따른 AlGaN/GaN HEMTs의 전기적 및 저주파 잡음 특성
접착 및 계면
2023 .06
-
Al 조성비에 따른 Normally-off AlGaN/GaN Double-channel HEMT의 전기적 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2024 .07
-
CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
AlGaN/GaN-on-Si 이종접합 기반의 고감도 수소센서
KEPCO Journal on electric power and energy
2019 .01
-
저온에서 AlGaN/GaN HEMT의 전기적 특성 변화
전기전자학회논문지
2018 .06
-
Effect of Thin Al₂O₃ Surface Protection Layer on Performance Improvement of AlGaN/GaN HEMT
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .10
-
GaN 스트라이프 꼭대기 위의 AlGaN 어레이 미세구조의 선택적 결정 성장
한국결정성장학회지
2015 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2020-569-000585200