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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.6
- 발행연도
- 2019.12
- 수록면
- 540 - 550 (11page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2019.19.6.540
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We have investigated the current transport mechanism of both the reverse and forward gate leakage currents in Au/Ni/Al₂O₃/AlGaN/GaN metaloxide-semiconductor high electron mobility transistors (MOSHEMTs) with the current-voltage (I–V) characteristics in the temperature range of 300–400 K. The room temperature capacitance-voltage (C–V) characteristics revealed a two-step capacitance change, which is the characteristic feature of the MOS-HEMT structure having two interfaces. An analysis of reverse gate leakage current of the Au/Ni/Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS structure indicated the dominance of Poole-Frenkel emission mechanism and Schottky emission mechanism in the lower and higher bias regions, regardless of the temperature. The forward log I–log V plot of the Au/Ni/Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS structure exhibited two different regions having different slopes, implying the domination of different conduction mechanisms in each region. At higher forward bias, the spacecharge-limited current conduction mechanism dominated the current transport indicating the presence of traps with most of the traps being deep traps with trap energy E<SUB>t≈</SUB> 0.17 eV as determined from the plot of exponent m versus the reciprocal of temperature.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. GROWTH AND DEVICE FABRICATION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (38)
참고문헌 신청
Y. Hori, Z. Yatabe, and T. Hashizume, “Characterization of interface states in Al2O3/AlGaN/GaN structures for improved performance of high-electron-mobility transistors,” J. Appl. Phys., Vol. 114, No. 24, pp. 244503-1? 244503-8, Dec., 2013.
H. Zhang, E. J. Miller, and E. T. Yu, “Analysis of leakage current mechanisms in Schottky contacts to GaN and Al0.25Ga0.75N/GaN grown by molecularbeam epitaxy,” J. Appl. Phys., Vol. 99, No. 2, pp. 023703-1?023703-6, Jan., 2006.
S. L. Selvaraj, et al, “1.4-kV Breakdown voltage for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on silicon substrate,” IEEE Electron Device Lett., Vol. 33, No. 10, pp. 1375?1377, Oct., 2012.
J.-J. Zhu, et al, “Investigation of gate leakage mechanism in Al2O3/Al0.55Ga0.45N/GaN metaloxide- semiconductor high-electron-mobility transistors,” Appl. Phys. Lett., Vol. 104, No. 15, pp. 153510-1?153510-4, Apr., 2014.
P. Kordo?, et al, “High-power SiO2/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure fieldeffect transistors,” Appl. Phys. Lett., Vol. 87, No. 14, p. 143501-1?143501-3, Sep., 2005.
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