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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 888 - 895 (8page)
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GaN HEMT devices feature the advantages of high frequency, high efficiency, and high power density for power converters due to their excellent performances. At high frequencies, GaN is highly sensitive to parasitic parameters, which can lead to voltage and current overshoot, electromagnetic interference, additional power losses, and even device failure. These issues are very important for the power devices and the whole power conversion systems. However, there is a lack of a comprehensive and in-depth overview of GaN technology in high frequency applications. This paper focuses on the issues of driver circuit and power loop design, the parallel technology, the short-circuit protection technology, which is helpful for better use of GaN devices in high frequency applications.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DRIVER CIRCUIT AND POWER LOOP DESIGN
III. PARALLEL TECHNOLOGY OF GAN
IV. SHORT CIRCUIT PROTECTION
V. CONCLUSION
REFERENCES
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