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저자정보
김상훈 (한화시스템) 정종헌 (한화시스템) 이호연 (한화시스템) 임평순 (한화시스템) 최길웅 (한화시스템) 권호상 (국방과학연구소) 김동욱 (충남대학교) 이상민 (웨이비스) 전병철 (웨이비스)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제31권 제7호(통권 제278호)
발행연도
2020.7
수록면
584 - 587 (4page)

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본 논문은 국내 개발된 GaN(gallium nitride) HEMT(high electron mobility transistor) 소자를 이용하여 비선형 모델링을 위한 파라미터 측정과 모델링 과정 및 검증 결과에 대하여 기술하였다. 선형/비선형 파라미터들을 추출하기 위해 여러 조건에서 Pulsed I-V 및 S-parameters 들을 측정하였고, 모든 바이어스 점들에 대해서 비선형 모델링을 통해 선형/비선형 파라미터들을 추출하였다. 비선형 모델링을 수행한 결과를 이용하여 능동 로드-풀 측정 결과를 비교하여 비선형 모델의 신뢰성을 검증하였다.
#Domestically Developed GaN HEMT #Pulsed I-V #ActivE Load-Pull #Nonlinear Modeling

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

참고문헌 (4)

참고문헌 신청
S. M. Wood / 2012 / Hybrid and monolithic GaN power transistors for high power S-band radar applications / 2012 7th European Microwave Integrated Circuit Conference :421~424 google schola Aethercomm / 2008 / Gallium nitride(GaN) microwave transistor technology for radar applications / Microwave Journal 51(1):106 google schola T. Gasseling / 2012 / Compact transistor models : The roadmap to first pass amplifier design success / Microwave Journal 55(3):74~86 google schola J. Joh / 2009 / Measurement of channel temperature in GaN high-electron mobility transistors / IEEE Transactions on Electron Devices 56(12):2895~2901 google schola

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