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저자정보
안현배 (충남대학교) 지홍구 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 한정환 (충남대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
83 - 86 (4page)

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This paper is a study on the design of a low noise amplifier for 5G base station in 28 GHz band using 0.15 um GaN HEMT process. GaN HEMT devices are used as high output power amplification devices because they have a wide energy band gap, high breakdown voltage, high electron saturation rate and high electron mobility. In addition, due to the development of GaN process technology, GaN devices are also used in the design of low-noise amplifiers, which can eliminate the limiter of the receiver, thereby increasing the efficiency in terms of the receiver module size and noise characteristics. The designed GaN low-noise amplifier for 5G base station in the 28 GHz band has the minimum noise figure of 1.6 dB, the gain of 12.9-15.8 dB , the input return loss of > 12 dB, and the output return loss of > 15 dB in the 26-32 GHz band.

목차

Abstract
I. 서론
II. 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 레이아웃 & 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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윤병철 ,  김정현 한국통신학회 학술대회논문집 2021 .02

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