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- 2010.11
- 수록면
- 148 - 149 (2page)
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Recently developed process technologies have brought the improvements on the performance of AlGaN/GaN HEMTs, but ohmic contact resistance is still higher than that of other semiconductor materials. In order to improve the ohmic characteristics of AlGaN/G^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE01587949');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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