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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1989.10
- 수록면
- 1,545 - 1,553 (9page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
1989
HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics )
이종람
,
이재진
,
맹성재
외 5명
전자공학회논문지
1989.11
학술저널
HeMT소자 공정 연구 - Part 2. HEMT 구조에서의 Ohmic 접촉저항 ( A Study on HEMT Device Process - Part 2. Ohmic Contact Resistance in GaAs/AlGaAs Hetero-Structure )
이종람
,
이재진
,
박성호
외 2명
전자공학회논문지
1989.10
학술저널
HEMT소자 공정 연구 - Part 1. 금속박막 형성을 위한 Lift-off공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process - Part 1. Lift-off Process for the Metallization )
이종람
,
박성호
,
김진섭
외 1명
전자공학회논문지
1989.10
학술저널
HEMT 소자의 금속박막 형성을 위한 lift-off 공정연구 ( Lift-off Process for the Metallization of HEMT Device )
이종람
,
박성호
,
맹성재
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1989.07
학술대회자료
HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
이종람
,
이재진
,
맹성재
외 5명
특정연구 결과 발표회 논문집
1989.01
학술대회자료
Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
이종람
,
이재진
,
맹성재
외 5명
한국통신학회 학술대회논문집
1989.01
학술대회자료
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Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
한국통신학회 학술대회논문집
1989 .01
-
HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )
특정연구 결과 발표회 논문집
1989 .01
-
AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )
전자공학회논문지-A
1994 .09
-
Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1991 .01
-
높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
-
HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )
전자공학회논문지
1989 .11
-
HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics )
전자공학회논문지
1989 .11
-
HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )
전자공학회논문지-A
1991 .11
-
A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs
JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
1988 .01
-
GaAs / AlGaAs HEMT 구조의 2DEG 측정 ( The Measurements of 2DEG in GaAs / AlGaAs HEMT structure )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
-
HEMT 기생소자의 새로운 추출법 ( A New Parasitic Extraction Method for HEMTs )
대한전자공학회 학술대회
1994 .05
-
MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
-
약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법
한국정보통신학회논문지
2003 .08
-
Recess Etching을 통한 AlGaN/GaN HEMT의 Ohmic 특성 개선에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2010 .11
-
S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter extraction technique for high performance HEMT`s using only S-parameters )
한국통신학회 학술대회논문집
1997 .01
-
S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter Extraction Technique for High Performance HEMT's Using only S-parameters )
대한전자공학회 학술대회
1997 .10
-
HEMT 소자의 2차원적 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Two-Dimensional Electron Concentration and Potential for HEMT Device )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
HEMT Device Physics
대한전자공학회 단기강좌
1986 .01
-
MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )
전자공학회논문지
1990 .02
-
MBT에 의한 HEMT ( HEMT Devices by MBE )
한국통신학회 워크샵
1986 .01
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