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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.25 No.2
- 발행연도
- 2025.3
- 수록면
- 131 - 136 (6page)
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In this work, an X-band gallium nitride (GaN) low-noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with a switched impedance network for improved noise performance is designed and fabricated using a 0.25 μm GaN WIN-semiconductor process. Notably, the term "switched impedance network" not only refers to the role of isolating receive and transmit paths, which is typically performed by a switch, but also signifies the utilization of a switch as a matching network. The size and matching loss of the proposed MMIC is minimized by replacing the LNA input-matching network with a single-pole double-throw switch. The fabricated LNA MMIC exhibits a noise figure of 1.9–2.3 dB, gain of 16-17 dB, and input/output return loss of 6-30 dB at a frequency range of 8-10 GHz. Under pulse conditions, it presents a maximum input power of 37 dBm and a saturated output power of 19 dBm.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EFFECT OF SWITCHED IMPEDANCE NETWORK
Ⅲ. DESIGN OF GAN LNA MMIC
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES
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