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이상흥 (한국전자통신연구원) 김성일 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 이종민 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 김동영 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 민병규 (한국전자통신연구원) 윤형섭 (한국전자통신연구원) 조규준 (한국전자통신연구원) 장유진 (한국전자통신연구원) 이기준 (충남대학교) 임종원 (한국전자통신연구원)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第28卷 第1號(通卷 第236號)
발행연도
2017.1
수록면
1 - 9 (9page)

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본 논문에서는 한국전자통신연구원(ETRI)에서 구축한 0.25 ㎛ GaN MMIC 공정 및 소자특성을 소개하고, 이를 이용한 X-대역 3 W GaN 전력증폭기 MMIC 설계 · 제작 결과를 논의한다. X-대역 동작에 적합한 GaN HEMT 소자를 선정하여 GaN 전력증폭기 MMIC를 1단으로 설계하고 제작하였으며, 이를 통하여 ETRI 0.25 ㎛ GaN MMIC 공정 및 특성을 평가하고 분석하였다. X-대역 GaN 전력증폭기 MMIC 제작 결과, 출력전력 3.5 W, 이득 10 ㏈ 및 전력부가효율 35 % 특성을 얻었다.
#GaN HEMT #X-Band #Power Amplifier #MMIC

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. ETRI 0.25 ㎛ GaN MMIC 제작 공정
Ⅲ. ETRI 0.25 ㎛ GaN MMIC 소자 특성
Ⅳ. X-대역 3 W GaN 전력증폭기 MMIC 설계 및 제작
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F Wu, AlgaN/GaN HEMTs- an overview of device operation and applications, Proceedings of the IEEE, vol. 90, no. 6, Jun. 2002. M. Thorsell, M. Fagerlind, K. Andersson, N. Billstrom, and N. Rorsman, An X-band AlGaN/GaN MMIC receiver front-end, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 20, no. 1, Jan. 2010. H. Shigematsu, Y. Inoue, A. Akasegawa, M. Yamada, S. Masuda, Y. Kamada, A. Yamada, M. Kanamura, T. Ohki, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, K. Joshin, and N. Hara, C-band 340-W and X-band 100- W GaN power amplifiers with over 50 % PAE, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., pp. 1265-1268, Jun. 2009. 최윤호, 노윤섭, 염인복, GaN HPA MMIC 기술 동향, 한국전자파학회지, 25(2), pp. 73-78, 2014년 3월. 이상흥, 김성일, 민병규, 임종원, 권용환, 남은수, 차 세대 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술동향, 전자 통신동향분석, 29(6), pp. 1-13, 2014년 12월.

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