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자료유형
학술저널
저자정보
송준오 (광주과학기술원 신소재공학과) 임동석 (광주과학기술원 신소재공학과) 김상호 (광주과학기술원 신소재공학과) 성태연 (광주과학기술원 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제9호
발행연도
2003.1
수록면
567 - 571 (5page)

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We investigate vanadium (V)-based Ohmic contacts on n-GaN ($N_{d}$=$2.0${\times}$10^{18}$ $cm^{-3}$ ) as a function of annealing temperature. It is shown that the V (60 nm) contacts become Ohmic with specific contact resistances of $10^{-3}$ $- 10^{-4}$ Ω$\textrm{cm}^2$ upon annealing at 650 and $850^{\circ}C$. The V(20 nm)/Ti(60 nm)/Au(20 nm)contacts produce very low specific contact resistances of $2.2 ${\times}$ 10^{-5}$ and$ 4.0${\times}$10^{-6}$ Ω$\textrm{cm}^2$ when annealed at 650 and $850{\circ}C$, respectively. A comparison shows that the use of the overlayers (Ti/Au) is very effective in improving Ohmic property. Based on the current-voltage measurement, Auger electron spectroscopy, glancing angle X-ray diffraction, and X-ray photoemission spectroscopy results, the possible mechanisms for the annealing temperature dependence of the Ohmic behavior of the V-based contacts are described and discussed.d.
#Ohmic contact #Vanadium #Specific contact resistance #GaN

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