지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 안호균
- 발행연도
- 2020
- 저작권
- 창원대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수11
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
전력 반도체는 전력변환장치의 핵심 소자로 전력변환시스템의 효율을 결정한다고 하여도 과언이 아니다. 기존 Si를 재료로 한 전력 반도체가 시장의 대부분을 점유하였지만 반도체 재료로의 물성적 한계로 인해 더 이상의 성능 향상을 기대하기 어려운 실정이다. 와이드 밴드갭 특성을 가지는 GaN은 반도체소자로서 Si보다 우수한 특 성을 보이고 있으며 GaN FET는 기존의 Si MOSFET를 대체할 차세대 전 력 반도체로 주목받고 있다.
본 논문에서는 양방향 DC-DC 컨버터 시스템을 설계하고, 기존 Si MOSFET를 GaN FET로 대체함으로써 효율을 향상시키는 방법에 대하여 연구하였다. Si와 GaN의 물성을 비교하고 전력 반도체가 가지는 특성을 분석하였다. 설계한 시스템에 Si MOSFET와 GaN FET를 적용시킨 시뮬레이션을 통하여 효율 향상과 시스템의 소형화를 이룰 수 있음을 검증하였다.
본 논문에서는 양방향 DC-DC 컨버터 시스템을 설계하고, 기존 Si MOSFET를 GaN FET로 대체함으로써 효율을 향상시키는 방법에 대하여 연구하였다. Si와 GaN의 물성을 비교하고 전력 반도체가 가지는 특성을 분석하였다. 설계한 시스템에 Si MOSFET와 GaN FET를 적용시킨 시뮬레이션을 통하여 효율 향상과 시스템의 소형화를 이룰 수 있음을 검증하였다.
목차
제 1장 서론1.1 연구배경1.2 연구방법 및 내용제 2장 GaN FET 특성분석2.1 차세대 화합물 반도체 GaN2.2 Si와 GaN 물성비교제 3장 양방향 DC-DC 컨버터3.1 양방향 DC-DC 컨버터 토폴로지3.1.1 벅-부스트 컨버터3.1.2 양방향 Cuk 컨버터3.1.3 Cascaded 벅-부스트 컨버터3.1.4 동기형 벅-부스트 컨버터3.2 동기형 벅-부스트 컨버터 분석 및 설계3.2.1 동기형 벅-부스트 컨버터 동작원리3.2.2 동기형 벅-부스트 컨버터 설계3.2.3 동기형 벅-부스트 컨버터 시스템 구성제 4장 시뮬레이션 구성 및 개요4.1 시뮬레이션 구성4.2 시뮬레이션 개요제 5장 시뮬레이션 해석 결과5.1 동작 파형 분석5.2 도통 손실 비교5.3 스위칭 손실 비교5.3 스위칭 주파수에 따른 효율 비교제 6장 결론참고 문헌ABSTRACT & KEYWORDS감사의 글
최근 본 자료
댓글(0)
0