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김예은 (서울과학기술대학교) 박종경 (서울과학기술대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
404 - 407 (4page)

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In this paper, we analyzed the z-interference characteristics of three different confined nitride trapping layer structures for 3D NAND flash using TCAD simulation(Synopsys Sentaurus). We applied program voltage to the attack cell of each 3D NAND flash with the three different confined nitride trapping layer structures and observed the changes in the threshold voltage of adjacent victim cells to the attack cell. Additionally, we analyzed the variations in the effective gate length and conduction band energy before and after programming to propose the structure of the confined nitride trapping layer that exhibits the best z-interference characteristics.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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