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레이저 다이오드 TO 패키지 내부의 주요 부분과 히트싱크 구조의 열전달 특성을 전산모사를 통해 분석하고, 개선구조의 효율적 적용방안을 제안하였다. 열 병목 현상을 개선하기 위해, 레이저 다이오드 상부에 열 우회를 도모할 수 있는 방열구조물을 설치하는 것을 제안하였고, 열저항 단순모델 기대치와 비교하여 그 우회 효율 개선 정도를 더욱 향상시키는 적용 범위를 파악하였다. 열 병목을 감안하여 방열 도움 구조물을 적절히 추가함에 따라, 통상적인 기대 수준보다 더욱 향상된 열 우회 효율을 얻을 수 있었음을 보고한다.
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W. J. Hwang / 2006 / Thermal analysis of GaN-based laser diode package / Phys. Status Solidi C 3:2174~2177
O. H. Nam / 2004 / Characteristics of GaN-based laser diodes for post-DVD applications / Phys. Status Solidi (a) 201:2717~2720
P. Wen / 2015 / High accuracy thermal resistance measurement in GaN/InGaN laser diodes / Solid-State Electron 106:50~53
M. Kuc / 2013 / Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers / Mater. Sci. Eng., B 178:1395~1402
M. Kuc / 2015 / Impact of Heat Spreaders on Thermal Performance of III-N-Based Laser Diode / IEEE Transaction on Components, Packaging and Manufacturing Technology 5:474~482
O. H. Nam / 2004 / Characteristics of GaN-based laser diodes for post-DVD applications / Phys. Status Solidi (a) 201:2717~2720
P. Wen / 2015 / High accuracy thermal resistance measurement in GaN/InGaN laser diodes / Solid-State Electron 106:50~53
M. Kuc / 2013 / Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers / Mater. Sci. Eng., B 178:1395~1402
M. Kuc / 2015 / Impact of Heat Spreaders on Thermal Performance of III-N-Based Laser Diode / IEEE Transaction on Components, Packaging and Manufacturing Technology 5:474~482
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