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자료유형
학술저널
저자정보
Khadija A. Khair (Southern Illinois University Carbondale) Shaikh S. Ahmed (Southern Illinois University Carbondale)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.16 No.3
발행연도
2020.1
수록면
299 - 309 (11page)

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Recently, microelectromechanical system has been used to dynamically strain atomically thin materials including MoS2. Whilestrain can signifcantly modulate the electronic and phonon structures of monolayer MoS2, its impact on electron transport,especially in the dissipative regime, has not been well explored. In this paper, using a three-dimensional particle-based quantumcorrectedMonte Carlo device simulator, the effects of uniaxial and biaxial strain on room-temperature electron transport in amodel monolayer molybdenum disulphide (MoS2) based feld-effect transistor have been investigated. In the beginning, thesimulator has been validated against recently published experimental results. Overall, strain in monolayer MoS2 strongly afectsthe polar optical phonon modes as well as the electronic bandstructure. Uniaxial strain breaks the degeneracy of E′ Raman modeand results in phonon softening. In this case, our results show that, for both E+ and E− Raman modes, ON current frst increasesfor up to 3.7% of applied strain and then decreases as the strain is increased further. As for biaxial strain, we consider the effectsof both tensile and compressive stresses. We fnd that the application of biaxial tensile strain boosts the ON current for up to 4% ofstrain. Especially, biaxial tensile strain leads to~15.56% increase in the ON current, which is highest for any type of applied stress.
#Monolayer MoS2 · Polar optical phonon scattering · Strain engineering · Degeneracy breaking of Raman mode · Monte Carlo device simulation

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