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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제8호
발행연도
2003.1
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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2004

산소 가스 유량비 따른 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  김현웅 ,  김경환 한국진공학회 학술발표회초록집 2004.02 학술대회자료
FTS법으로 제작한 ZnO/AZO 박막의 결정학적 특성
금민종 ,  최형욱 ,  김경환 외 2명 전기전자재료학회논문지 2004.01 학술저널

2003

ZnO Buffer Layer에 의한 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  이정석 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2003.12 학술저널
Buffer Layer에 의한 ZnO 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  이정석 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.02 학술대회자료
FBAR용 ZnO/SiO2/Si 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종 ,  손인환 ,  최명규 외 4명 전기전자재료학회논문지 2003.01 학술저널

초록· 키워드

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In this study, we prepared ZnO/glass and ZnO/SiO2/Si thin film by Facing Targets Sputtering (FTS) system for Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR). When the ZnO thin film applied to piezoelectric thin film, it requires good c-axis preferred orientation. And c-axis orientation has a remarkable difference with preparation conditions. Therefore, c-axis orientation must be significantly evaluated as a function of deposition conditions. Moreover, in order to prepare ZnO thin film with good crystallographic properties and progressive of efficiency of product process, the ZnO thin film should be prepared as low temperature as possible. In this work, we prepared ZnO thin films on slide glass and SiO2/Si substrate. And the crystallographic characteristics of ZnO thin films on sputtering conditions were investigated by alpha-step and X-ray diffraction.
#FBAR #FTS #c-axis orientation

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