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Molybdenum disulfide (MoS₂), which has 0.65 nm-thick atomic layer, can be easily separated layer by layer due to weak van der Waals interactions in out-of-plane direction. MoS₂ has a good potential in nanoelectronics, because it has high electrical mobility and On/Off ratio. Its band gap energy changes from indirect to direct band gap energy as it goes from bulk to monolayer. Therefore, atomically thin MoS₂ is widely studied in academic and engineering fields. Here, we introduce the research of atomically thin MoS₂ and discuss the research directions.
목차
서론
MoS₂의 전기적 특성
MoS₂의 광반응(photoresponse)
MoS₂표면 분자처리
대면적 MoS₂성장
결론
References
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