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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第24卷 第11號
발행연도
2013.11
수록면
1,064 - 1,073 (10page)

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본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 ㎜ GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 10.16×10.16×1.5T ㎣ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770～870 ㎒에서 80 % 이상, 1,805～1,880 ㎒에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT 전력 증폭기 중 최고의 효율과 출력 전력 특성이다.
#GaN HEMT #Compact Size Package #High Power #High Efficiency #Internal Harmonic Termination

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 내부 고조파 조정 회로 설계
Ⅲ. 열 저항 고려
Ⅳ. Class-F Simulation 및 설계
Ⅴ. 제작 및 측정
Ⅵ. 결론
References

참고문헌 (16)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - ETRI / 2012 / Global R&D trends of GaN electronic device / Rev : 74 ~ 85 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Nor Zaihar Yahaya / 2009 / Review on Gallium Nitride HEMT Device Technology for High Frequency Converter Applications / Journal of Power Electronics 9 (1) : 36 ~ 42 dbpia 3. [학술대회논문] - H. Otsuka / 2008 / Over 57 % efficiency C-band GaN HEMT high power amplifier with internal harmonic manipulation circuits / 2008 MTT : 311 ~ 314 google schola 4. [학술대회논문] - A. Prejs / 2009 / Thermal analysis and its application to high power GaN HEMT amplifiers / 2009 MTT google schola 5. [학술대회논문] - Akio Wakejima / 2006 / 370-W output power GaNFET amplifier with low distortion for W-CDMA base stations / 2006 MTT : 1360 ~ 1363 google schola

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