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유하진 (광운대학교) 유진혁 (주성엔지니어링) 강민성 (주성엔지니어링) 최현곤 (주성엔지니어링) 손찬희 (광운대학교) 강정욱 (광운대학교) 홍진 (주성엔지니어링) 최은하 (광운대학교) 조광섭 (광운대학교) 권기청 (광운대학교)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2010년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2010.11
수록면
443 - 447 (5page)

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BZO (ZnO:B) thin films were grown by low pressure metal-organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) using diethylzinc (DEZ), and H2O as reactant gases and diborane (B2H6) as an n-type dopant gas. Boron and hydrogen were used as a co-dopant and post treatment using hydrogen plasma was performed in oder to boost the effect of co-doping. The structural and electrical of BZO thin films at different H₂ O/DEZ ratio were investigated. At the optimized conditions, low resistivity (1.69?10-3 Ω㎝) and sheet resistance (58 Ω/□) were obtained for the thickness of ~300 ㎚ BZO thin films deposited on glass substrate at the temperature of 453 K and processing pressure of 0.5 Torr. With the application of BZO thin films as transparent conductive oxide (TCO) in hetero-junction intrinsic thin layer (HIT) solar cell, the conversion efficiency was comparable to or higher than the commercialized ITO thin films.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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