전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압

정용성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정용성

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제10호

발행연도: 2005.10

수록면: 9 - 18 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2005

전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압

정용성 전자공학회논문지-SD 2005.10 학술저널

2004

Si p⁺n 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링

정용성 전자공학회논문지-SD 2004.01 학술저널

2002

4H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압

정용성 전자공학회논문지-SD 2002.01 학술저널

2001

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )

정용성 전자공학회논문지-SD 2001.06 학술저널

1996

〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )

정용성 대한전자공학회 세미나 1996.01 학술대회자료

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Si, GaAs, InP 및 In0.53Ga0.47As 계단형 p+n 접합에서의 항복전압을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 항복전압을 위해 각 물질에 대한 Marsland의 lucky drift 파라미터를 이용하여 유효이온화계수를 각각 추출하였고, 이의 이온화 적분을 통해 얻은 해석적 항복전압 결과는 10¹⁴㎝-³～5×10^(17)㎝-³ 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 10% 오차 범위 이내로 잘 일치하였다.

참고문헌 (30)

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[학술지(정기간행물)] - S. M. Sze / 1982. / Physics of Semiconductor Devices

[학술지(정기간행물)] - B. J. Baliga / 1989. / Power Semiconductor Device Figure of Merit for High-Frequency Applications 10 (10) : 455 ~ 457

[학술지(정기간행물)] - Ali S. M. Salih / feb.21-241995. / High Voltage GaAs Power Rectifiers with Low Switching and Conduction Losses : 259 ~ 263

[학술지(정기간행물)] - M. A. Littlejohn / 1977. / Velocity-field characteristics of quaternary alloy 30 : 242 ~ 244

[학술지(정기간행물)] - L. Aina / 1991. / 0.33-㎛ gate-length millimeter-wave InP-channel HEMT's with high and 12 (9) : 483 ~ 485

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